等離子蝕刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)外觀清洗、外觀活化、外觀蝕刻和外觀涂層的功能。根據(jù)不同的處理材料和目的，機(jī)器可以達(dá)到不同的處理效果。應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的等離子蝕刻機(jī)有等離子蝕刻、顯影、去膠、封裝等。蝕刻過程在集成電路芯片芯片封裝中，不只可以蝕刻外觀的光刻膠，還可以蝕刻下面的氮化硅層。調(diào)節(jié)真空等離子蝕刻機(jī)的部分參數(shù)，可以得到特定的氮化硅層形狀，即側(cè)壁蝕刻傾角。

        氮化硅(Si3N4)是目前最熱門的新材料之一，具有密度小、硬度高、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域。在晶片制造中，氮化硅可以代替氧化硅。由于其高硬度，可以在晶片外觀形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片加工中，最廣泛使用的單位是埃)，厚度約為幾十埃，保護(hù)外觀，避免劃傷。此外，其突出的絕緣強(qiáng)度和抗氧化能力也能達(dá)到良好的隔離效果。氮化硅的缺點(diǎn)是其流動(dòng)性不如氧化物，難以蝕刻。等離子蝕刻可以克服蝕刻的困難。
       等離子蝕刻機(jī)是采用化學(xué)或物理或化學(xué)的共同作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的。化學(xué)反應(yīng)腔的氣體電離，是指離子、電子和游離基等活性物質(zhì)的等離子體，采用擴(kuò)散吸附在介質(zhì)外觀，與介質(zhì)外觀的原子對(duì)其進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。而且，高能量離子在有一定壓力下對(duì)介質(zhì)外觀對(duì)其進(jìn)行物理轟擊和蝕刻，去除再沉積的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。采用化學(xué)和物理的共同作用完成介質(zhì)層的蝕刻。
       蝕刻是晶圓制造加工制作工藝 中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，也是微電子IC制造加工制作工藝 和微納制造加工制作工藝 中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，一般在光刻膠涂布和光刻顯影后，以光刻膠為掩膜，采用物理濺射和化學(xué)作用去除不必要的金屬，其目的是形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子蝕刻機(jī)是主流的干式蝕刻，由于其良好的蝕刻速度和方向性，目前已逐步取代濕式蝕刻。
       對(duì)于IC芯片芯片封裝，真空等離子蝕刻機(jī)的蝕刻加工制作工藝一方面能蝕刻表面上的光刻膠，還能防止硅襯底的蝕刻損壞，從而滿足許多加工制作工藝的要求。實(shí)驗(yàn)報(bào)告顯示，改善真空等離子體清洗機(jī)的部分參數(shù)，既能滿足蝕刻要求，又能形成一定形狀的氮化硅層，即側(cè)壁蝕刻傾角。