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CRF plasma 等離子清洗機

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與傳統(tǒng)技術相較CRF等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝

與傳統(tǒng)技術相較CRF等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝:
       等離子與產(chǎn)品表層的反應是等離子刻蝕機的重要機理,大致可分為2種:1種是氣體電離產(chǎn)生的氧自由基活性粒子與產(chǎn)品表層污染物的化學反應;另一種是電離產(chǎn)生的正離子和電子躍遷產(chǎn)品表層的物理反應,使污染物從產(chǎn)品表層脫落。
      根據(jù)反應機制,氣體有2種類別,1種是反應性氣體(化學作用),主要是氫、氧等;另一種是非反應性氣體(物理作用),主要是氬、氦、氮。反應性氣體主要是化學反應,電離后氧自由基與表層污染物發(fā)生化學反應,排出揮發(fā)性物質,達到清理的目的。氫氣重要利用其還原作用與被清理部件表層的污染物發(fā)生反應,如金屬表面的氧化物清理;氧氣重要利用其氧化作用,如清理部件表層的有機物。

等離子刻蝕機

       非反應性氣體電離后,重要依靠離子的物理躍遷來清理污染物。有些氣體可以在清理時改變產(chǎn)品的表層性質。例如,氮等離子刻蝕機可以提高金屬材料的硬度和耐磨性。另外2種常用氣體是氬和氦,具有擊穿電壓低、等離子穩(wěn)定等優(yōu)點。氬原子的電離能為15.75eV,氬等離子含有大量亞穩(wěn)態(tài)原子,是理想的物理反應氣體。
       與濕法清理加工工藝相比,等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝,也無需廢水處理。這是1種經(jīng)濟、高效、環(huán)保的清理方法。在完成清理和去污的同時,還可以改變產(chǎn)品本身的表層性能,如提高表層的潤濕性能和膜的附著力。

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