crf等離子體發(fā)生器技術(shù)-PTFE孔薄膜界面表面能測試：
       PTFE微孔膜有著相對穩(wěn)定的化學性能、抗高溫、抗腐蝕、優(yōu)質(zhì)的防水性、疏油性能、高溫、高濕度、高腐蝕和特殊氣體液體過濾性能，可普遍使用于冶煉、化工類、煤炭、水泥等行業(yè)，1種抗高溫復合過濾膜材料。但它極低的表面活性、突出的不粘滯性使它很難與基材復合，從而限制了它的應用。等離子體發(fā)生器技術(shù)是1種常見的干腐蝕形式，其原理是當離子體原子經(jīng)過靜電場加速時，氣體暴露在電子區(qū)域形成等離子體，產(chǎn)生離子體，釋放由高能量電子組成的氣體，形成等離子體或離子，釋放力足以接近材料或蝕刻表面，與表面驅(qū)動力結(jié)合。在一定程度上，等離子體發(fā)生器清洗實際上是等離子蝕刻過程中的1種輕微現(xiàn)象。干燥蝕刻處理設(shè)備包括反應室，電源，真空等部分。部件被送到反應室，氣體被導入等離子體，并進行交換。等離子體的蝕刻過程本質(zhì)上是一個活躍的等離子過程。近來，反應室里出現(xiàn)了1種擱置形式，使用者可以靈活地移動它來配置合適的等離子體蝕刻方法：反應性等離子體(RIE)、順流等離子體(downstream)和直接等離子體(directionplasma)。

       crf等離子體發(fā)生器的表面處理功率不是越大越好。在較低的功率下，隨著功率的增加，處理后的薄膜剪切強度逐漸降低。ICPE是化學和物理過程的綜合結(jié)果。其基本原理是：在低壓下，ICP射頻電源輸出到環(huán)耦合線圈，耦合光放電后，耦合光放電后混合腐蝕氣體，產(chǎn)生高密度等離子體，在基底表面轟擊下，基底圖形區(qū)域半導體材料化學鍵中斷，與腐蝕氣體產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，氣體從基底分離，抽離真空管。