根據(jù)用途的不一樣，能夠選取各種結(jié)構(gòu)的等離子清洗設(shè)備，經(jīng)過(guò)選取不一樣種類的氣體，調(diào)整裝置的特征參數(shù)，最大限度地優(yōu)化工藝流程。但是，等離子體處理設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)大致相同。一般裝置可由真空室、真空泵、高壓電源、電極、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、鑄件傳輸系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。常用的真空泵是轉(zhuǎn)動(dòng)油泵，高壓電源往往是13.56兆赫茲無(wú)線電波。設(shè)備的運(yùn)行過(guò)程如下:
(1)等離子體處理設(shè)備清洗過(guò)的鑄件被送進(jìn)真空室并固定，啟動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)裝置，開(kāi)始排氣，使真空室真空度達(dá)到十帕上下的規(guī)范真空度。一般排氣時(shí)間2分鐘上下。
(2)將等離子體處理設(shè)備中使用的氣體引入真空室，并將其壓力保持在100帕。根據(jù)清洗材料的不一樣，能夠選取氧氣、氫氣、氬氣或氮?dú)狻?/span>
(3)在真空室的電極和接地裝置之間施加高頻電壓，破壞氣體，經(jīng)過(guò)電弧放電形成離子和等離子體。將真空室形成的等離子體完全涵蓋處理鑄件，并開(kāi)始清洗操作。往往清潔處理持續(xù)幾十秒到幾分鐘。
(4)等離子體處理設(shè)備清洗后，切斷高頻電壓，排出氣體和氣化污垢，將空氣鼓入真空室，將氣壓升至大氣壓。
接下來(lái)，我們將介紹等離子清洗設(shè)備在半導(dǎo)體中的應(yīng)用。由于半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體芯片表層質(zhì)量，特別是表層質(zhì)量明確提出了更好的規(guī)范。其中，晶片表面微粒和金屬雜質(zhì)的污染將嚴(yán)重影響設(shè)備的質(zhì)量和產(chǎn)量。當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中，由于芯片表面的污染，材料的損耗仍超過(guò)50%。

      半成品過(guò)程中，幾乎每一個(gè)工序都要進(jìn)行清洗，晶片清洗質(zhì)量嚴(yán)重影響設(shè)備的性能。但是，由于半導(dǎo)體制造需要有機(jī)和無(wú)機(jī)物質(zhì)的參與，工藝總是由凈化室的人進(jìn)行，半導(dǎo)體晶片不可避免地會(huì)被各種雜質(zhì)污染。正是因?yàn)榫A清洗是半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要和頻繁的一步，制造商首選等離子體處理設(shè)備技術(shù)，消除晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物，提高芯片設(shè)備的良率、性能和可靠性。